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HN1C03F-B(TE85L,F)

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N.º del fabricante:: HN1C03F-B(TE85L,F)

Fabricante:: Toshiba Semiconductor and Storage

Categoría de producto:: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Descripción:: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Estado RoHS:: Libre de plomo / Cumple con RoHS

Hoja de datos:: HN1C03F-B(TE85L,F) Datasheet(PDF)

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Especificaciones

Categoría de producto :

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Fabricante :

Toshiba Semiconductor and Storage

Product type :

Discrete Semiconductor Products

Current - Collector (Ic) (Max) :

300mA

Current - Collector Cutoff (Max) :

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

350 @ 4mA, 2V

Frequency - Transition :

30MHz

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

150°C (TJ)

Package / Case :

SC-74, SOT-457

Packaging :

Digi-Reel®

Part Status :

Discontinued at Digi-Key

Power - Max :

300mW

Supplier Device Package :

SM6

Transistor Type :

2 NPN (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

100mV @ 3mA, 30mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

20V

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