La imagen es solo de referencia. Las especificaciones se basan en la hoja de datos (PDF).

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IMT18T110

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N.º del fabricante:: IMT18T110

Fabricante:: Rohm Semiconductor

Categoría de producto:: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Descripción:: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT

Estado RoHS:: Libre de plomo / Cumple con RoHS

Hoja de datos:: IMT18T110 Datasheet(PDF)

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Especificaciones

Categoría de producto :

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Fabricante :

Rohm Semiconductor

Product type :

Discrete Semiconductor Products

Current - Collector (Ic) (Max) :

500mA

Current - Collector Cutoff (Max) :

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

270 @ 10mA, 2V

Frequency - Transition :

260MHz

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

150°C (TJ)

Package / Case :

SC-74, SOT-457

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

300mW

Supplier Device Package :

SMT6

Transistor Type :

2 PNP (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

250mV @ 10mA, 200mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

12V

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